一种提高稀土离子共掺上转换纳米材料发光强度的方法
- 申请号:CN201510727909.1
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院福建物质结构研究所
- 公开(公开)号:CN105238405A
- 公开(公开)日:2016.01.13
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种提高稀土离子共掺上转换纳米材料发光强度的方法 | ||
| 申请号 | CN201510727909.1 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开(公告)号 | CN105238405A | 公开(授权)日 | 2016.01.13 |
| 申请(专利权)人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明(设计)人 | 刘永升;卓著;刘大玖;吴明燕;洪茂椿;陈学元 |
| 主分类号 | C09K11/85(2006.01)I | IPC主分类号 | C09K11/85(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种提高稀土离子共掺上转换纳米材料发光强度的方法 至一种提高稀土离子共掺上转换纳米材料发光强度的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种提高稀土离子共掺上转换纳米材料发光强度方法。通过热分解分段定向外延生长制备方法,将上转换稀土离子分别掺杂到无机纳米材料的不同部位,并在不同部位之间生长一定厚度的纯的基质材料以增加稀土离子之间的距离,减小不同稀土离子之间因能量传递和交叉弛豫过程而引起的能量损耗,从而大大提高稀土离子共掺无机纳米材料的上转换发光强度和量子产率。 | ||
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