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一种背向散射光栅耦合封装结构的光子芯片及其制造方法

  • 申请号:CN201510530381.9
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
  • 公开(公开)号:CN105226107A
  • 公开(公开)日:2016.01.06
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种背向散射光栅耦合封装结构的光子芯片及其制造方法
申请号 CN201510530381.9 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN105226107A 公开(授权)日 2016.01.06
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 发明(设计)人 刘丰满;曹立强;郝虎
主分类号 H01L31/0203(2014.01)I IPC主分类号 H01L31/0203(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期 一种背向散射光栅耦合封装结构的光子芯片及其制造方法 至一种背向散射光栅耦合封装结构的光子芯片及其制造方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开一种背向散射光栅耦合封装结构的光子芯片及其制造方法,所述光子芯片包括:光纤;光电子器件,带有背向散射光栅;下夹具,安装在所述夹具安装槽内;上夹具,将所述光纤压于所述下夹具之上,所述光纤的端部位于所述光纤导向槽内,使得所述光纤与垂直于所述体硅表面的方向的夹角与所述背向散射光栅的散射角一致;其中,所述下夹具可在所述夹具安装槽内移动,以带动所述光纤的端部在所述光纤导向槽内移动,以调整所述光纤在光纤传输方向上的耦合位置,从而保证光纤能够达到最大的耦合点,解决了现有技术中的光子芯片采用倒装时很难寻找到耦合功率最大的位置的技术问题。

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