专利详情

专利名称	一种单晶硅空心微针结构的制作方法
申请号	CN201410253151.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105217565A	公开（授权）日	2016.01.06
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	俞骁;付思齐;张宝顺
主分类号	B81C1/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81C1/00(2006.01)I;A61M37/00(2006.01)I
专利有效期	一种单晶硅空心微针结构的制作方法至一种单晶硅空心微针结构的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种单晶硅异平面空心微针结构的制作方法，在一典型实施案例中，该方法可以包括：先在（100）型硅片正面用深硅干法刻蚀方法制作非贯通的孔状槽；用热氧化方法在硅片正反面以及孔内壁形成厚氧化层；在硅片正面和背面用涂胶光刻方法分别形成腐蚀窗口图形；用干法或湿法腐蚀方法将窗口内的氧化硅去除，露出衬底硅；去除光刻胶后用单晶硅各向异性腐蚀液对硅片进行腐蚀，在上表面形成微针结构，下表面形成槽形结构，并且先前刻蚀形成的深孔贯穿硅片正面微针结构，底部与硅片背面的槽形结构相连。本发明工艺简单，成本低廉，成品率高，适合大批量制造，且所获微针具有结构强度大、一致性好，载药剂量大等优点，在生物医学领域具有应用前景。