专利详情

专利名称	一种具有反铁磁层间耦合的磁性多层膜及其制备方法
申请号	CN201510428403.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105172255A	公开（授权）日	2015.12.23
申请（专利权）人	中国科学技术大学	发明（设计）人	吴文彬;陈斌斌;徐浩然
主分类号	B32B9/00(2006.01)I	IPC主分类号	B32B9/00(2006.01)I;B32B37/24(2006.01)I;B32B38/00(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I
专利有效期	一种具有反铁磁层间耦合的磁性多层膜及其制备方法至一种具有反铁磁层间耦合的磁性多层膜及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种具有反铁磁层间耦合的磁性多层膜及其制备方法，本发明提供的具有反铁磁层间耦合的磁性多层膜通过将CaRu_0.5Ti_0.5O₃作为势垒材料，将钙钛矿型过渡金属氧化物作为铁磁材料，使得制备得到的具有反铁磁层间耦合的磁性多层膜不仅能够很好的外延生长，且在零场下能实现铁磁层之间反平行耦合，与目前自旋阀式结构相比，无需底层反铁磁层的钉扎，即可实现两铁磁层之间平行或反平行排列，这对简化隧道结的结构有着重要意义；并且该多层膜中铁磁层的翻转对外场的改变十分敏感，可以通过磁场来灵敏地控制铁磁层之间的磁化构型，有利于其在磁性隧道结中的应用。