专利详情

专利名称	基于二维纳米壁的场发射阴极
申请号	CN201520507686.3	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN204834554U	公开（授权）日	2015.12.02
申请（专利权）人	中国科学院苏州生物医学工程技术研究所	发明（设计）人	邢晓曼;徐品;孙明山;曾维俊
主分类号	H01J1/304(2006.01)I	IPC主分类号	H01J1/304(2006.01)I
专利有效期	基于二维纳米壁的场发射阴极至基于二维纳米壁的场发射阴极	法律状态
说明书摘要	本案涉及基于二维纳米壁的场发射阴极，包括：电子发射端，其包括衬板层和纳米壁层，所述纳米壁层呈网格状，并埋覆在所述衬板层中；铜芯；冷却装置，包括：第一陶瓷导热片，其靠近所述纳米壁层的一端架设有栅网；第二陶瓷导热片，其套设于第一陶瓷导热片的外部；半导体层，其填充于所述第一陶瓷导热片和第二陶瓷导热片之间；电源；其中，第二陶瓷导热片通过金属片与铜芯相连。本案采用二维网格结构的纳米壁使得阴极获得了更低的阻抗，有助于更大发射电流的产生；在纳米壁顶端桥接的金属层能够降低电子需要克服的功函数，增加可以利用的电子密度和二次电子发射能力；网格形状的栅极能够最大限度的提高电子的通过率。