BaHgSe2非线性光学晶体及制法和用途
- 申请号:CN201510395326.3
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院理化技术研究所
- 公开(公开)号:CN105113005A
- 公开(公开)日:2015.12.02
- 法律状态:公开
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专利详情
专利名称 | BaHgSe2非线性光学晶体及制法和用途 | ||
申请号 | CN201510395326.3 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN105113005A | 公开(授权)日 | 2015.12.02 |
申请(专利权)人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明(设计)人 | 姚吉勇;李超;李小双;周墨林;张国春;吴以成 |
主分类号 | C30B29/46(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/46(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;G02F1/355(2006.01)I |
专利有效期 | BaHgSe2非线性光学晶体及制法和用途 至BaHgSe2非线性光学晶体及制法和用途 | 法律状态 | 公开 |
说明书摘要 | 一种BaHgSe2非线性光学晶体,其不具有对称中心,属正交晶系,空间群为Pmc21,其晶胞参数为:α=β=γ=90°,Z=4;其制法采用高温熔体自发结晶法或坩埚下降法生长;在该BaHgSe2非线性光学晶体的生长中,晶体具有生长速度较快、成本低、容易获得较大尺寸晶体等优点;所得BaHgSe2非线性光学晶体具有非线性光学效应大、透光波段宽,硬度较大,机械性能好,易于加工等优点;其可用于制备非线性光学器件,该器件包含将至少一束入射电磁辐射通过至少一块该BaHgSe2非线性光学晶体后产生至少一束频率不同于入射电磁辐射的输出辐射的装置。 |
交易流程
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专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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