专利详情

专利名称	一种制备半导体氧化锌纳米材料的方法
申请号	CN201510492307.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105152201A	公开（授权）日	2015.12.16
申请（专利权）人	中国科学院重庆绿色智能技术研究院	发明（设计）人	李昕;冯双龙;陆文强;刘双翼;何培培;李奇昆;李振湖;王亮;石彪
主分类号	C01G9/02(2006.01)I	IPC主分类号	C01G9/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	一种制备半导体氧化锌纳米材料的方法至一种制备半导体氧化锌纳米材料的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种制备半导体氧化锌纳米材料的方法，应用于纳米线制备技术领域，所述方法利用高温化学气相沉积方法，创新性采用纳米金刚石颗粒和氧化锌粉末混合物作为反应物，从而在基底上生长出氧化锌纳米线的方法，生长速度大幅提升，而且将反应温度降低至600℃，对比于传统利用石墨粉末和氧化锌纳米粉末的方法，本发明利用纳米金刚石颗粒表面积大，化学活性高的独特性质，达到了纳米线制备速度快，节能降耗的目的。