制备钨铼基钡钨阴极的方法
- 申请号：CN201510524159.8
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院电子学研究所
- 公开(公开)号：CN105118760A
- 公开(公开)日：2015.12.02
- 法律状态：公开
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专利详情
| 专利名称 | 制备钨铼基钡钨阴极的方法 | ||
| 申请号 | CN201510524159.8 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN105118760A | 公开（授权）日 | 2015.12.02 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 王小霞;漆世锴;胡明炜;赵青兰;李云;张琪 |
| 主分类号 | H01J9/04(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J9/04(2006.01)I;H01J19/04(2006.01)I |
| 专利有效期 | 制备钨铼基钡钨阴极的方法 至制备钨铼基钡钨阴极的方法 | 法律状态 | 公开 |
| 说明书摘要 | 本发明提供了一种制备钨铼基钡钨阴极的方法。该方法包括：步骤A：制备NH4ReO4水溶液；步骤B：将多孔W基底浸入所述NH4ReO4水溶液中，使所述多孔W基底吸附NH4ReO4；步骤C：对吸附NH4ReO4后的多孔W基底进行烘烤、烧结，使其转化为W-Re基底；以及步骤D：在W-Re基底中浸入铝酸盐并覆膜制备阴极，完成钨铼基钡钨阴极的制备。本发明采用液固相法实现了合成性能优良的浸渍钡钨阴极W-Re基底，可以提高W-Re基底中Re在W基底中的掺杂均匀性，从而提高阴极发射性能，延长阴极寿命，具有较好的推广应用前景。 | ||
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