专利详情

专利名称	二次电子特性参数的测量装置
申请号	CN201520504454.2	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN204807482U	公开（授权）日	2015.11.25
申请（专利权）人	中国科学院高能物理研究所;东莞中子科学中心	发明（设计）人	王鹏程;刘瑜冬
主分类号	G01N23/225(2006.01)I	IPC主分类号	G01N23/225(2006.01)I
专利有效期	二次电子特性参数的测量装置至二次电子特性参数的测量装置	法律状态
说明书摘要	一种二次电子特性参数的测量装置，测量装置的二次电子探测器设置在真空室内，包括用于收集二次电子的侧部收集极和顶部收集极，侧壁收集极和顶部收集极围合成筒状，侧壁收集极和顶部收集极通过绝缘环隔离，电子枪贯穿顶部收集极伸入二次电子探测器内部。本申请提出了通过二次电子的空间分布特性、二次电子产额与入射角度的关系、二次电子的能谱分布特性来对二次电子特性进行分析，为材料在二次电子发射特性方面的研究提供了新的方向，为更好地认识材料的二次电子发射特性奠定了基础。本申请实施例提供的测量装置和方法不仅具有较优的操作性，而且通过其校验机制，能够较好地保证测量结果的准确性。