FinFET及其制造方法
- 申请号：CN201510574924.7
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN105097555A
- 公开(公开)日：2015.11.25
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | FinFET及其制造方法 | ||
| 申请号 | CN201510574924.7 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN105097555A | 公开（授权）日 | 2015.11.25 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;许淼;梁擎擎;尹海洲 |
| 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I |
| 专利有效期 | FinFET及其制造方法 至FinFET及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 公开了一种FinFET及其制造方法。该制造FinFET的方法包括：在半导体衬底的内部形成掺杂穿通阻止层；利用半导体衬底位于掺杂穿通阻止层上方的部分形成半导体鳍片；形成横跨半导体鳍片的栅堆叠，该栅堆叠包括栅极电介质和栅极导体，并且栅极电介质将栅极导体和半导体鳍片隔开；形成围绕栅极导体的栅极侧墙；以及在半导体鳍片位于栅堆叠两侧的部分中形成源区和漏区。掺杂穿通阻止层将半导体鳍片和半导体衬底隔开，从而可以断开源区和漏区之间经由半导体衬底的漏电流路径。 | ||
交易流程
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选取所需
专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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