专利详情

专利名称	一种用于透射电子显微镜的样品杆的MEMS芯片
申请号	CN201510395317.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105084290A	公开（授权）日	2015.11.25
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	杨新安;张庆华;谷林;姚湲
主分类号	B81B1/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81B1/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;H01J37/20(2006.01)I
专利有效期	一种用于透射电子显微镜的样品杆的MEMS芯片至一种用于透射电子显微镜的样品杆的MEMS芯片	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种用于透射电子显微镜的样品杆的MEMS芯片，包括：电介质层；薄膜状的第一电极和第二电极，第一电极和第二电极形成在电介质层的上表面上并且相互间隔开；其中，第一电极具有沿第一方向延伸的第一主体部和从第一主体部的一侧沿横向于第一方向的第二方向伸出的多个第一指状部；每一第一指状部的末端部和/或侧部邻近于第二电极，从而在第一电极和第二电极之间的相互邻近处限定了电场施加区域；和在电场施加区域内形成的通孔，通孔在垂直于电介质层的上表面的方向上穿透电介质层。本发明的一种用于透射电子显微镜的样品杆的MEMS芯片，通过设计MEMS芯片的电极的形状和样式，使其可以对样品进行加电场或同时加热加电场。