专利详情

专利名称	一种用于检测半导体器件的电荷及电场响应的系统
申请号	CN201520485819.1	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN204789902U	公开（授权）日	2015.11.18
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	石将建;孟庆波
主分类号	G01R31/265(2006.01)I	IPC主分类号	G01R31/265(2006.01)I;H02S50/10(2014.01)I
专利有效期	一种用于检测半导体器件的电荷及电场响应的系统至一种用于检测半导体器件的电荷及电场响应的系统	法律状态
说明书摘要	本实用新型提供了一种用于检测半导体器件的电荷及电场响应的系统，包括：电流回路，待检测的半导体器件连接在所述电流回路中；脉冲激光器，用于向待检测的半导体器件周期性地施加激光脉冲，以在半导体器件处形成光生电荷；其中，光生电荷在电流回路中传输以形成瞬态光生电流；设置在电流回路中并与半导体器件串联的采样电阻；与采样电阻并联的电压信号采集器，用于采集采样电阻的两端的电压差信号；与半导体器件并联的电压源，用于向所述半导体器件提供周期性变化的调制电压；与电压源串联的电流隔离器，用于阻止瞬态光生电流或其高频部分流经电压源。本实用新型的系统能够准确地探测瞬态光生电流，并适用于检测半导体器件内很慢的电荷响应过程。