专利详情

专利名称	一种用于在硅电极上制备横向纳米线网的反应装置
申请号	CN201520369889.0	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN204752195U	公开（授权）日	2015.11.11
申请（专利权）人	中国科学院重庆绿色智能技术研究院	发明（设计）人	陆文强;何培培;石彪;冯双龙;李昕;王亮;宋金会
主分类号	B81C1/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	一种用于在硅电极上制备横向纳米线网的反应装置至一种用于在硅电极上制备横向纳米线网的反应装置	法律状态
说明书摘要	本实用新型提供一种用于在硅电极上制备横向纳米线网的反应装置，所述反应装置包括一表面制备有周期性纳米硅柱的硅衬底、供盛放化学反应物原料的舟以及供输入反应气体的管式真空炉，所述硅衬底和舟放置于所述管式真空炉内，所述硅衬底水平放置于所述舟的上方，且所述硅衬底上制备有周期性纳米硅柱的一面朝向所述舟上的化学反应物原料。本实用新型通过将表面制备有周期纳米硅柱的硅电极衬底生长面向下放置在盛有化学反应物的舟上，以控制横向生长纳米线网形成纳米网桥接电路，而不需要镀金膜作为催化剂，从而节省了工序和降低了成本。