一种在碳化硅衬底上生长P型石墨烯的方法
- 申请号：CN201410171889.X
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院物理研究所
- 公开(公开)号：CN105016328A
- 公开(公开)日：2015.11.04
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种在碳化硅衬底上生长P型石墨烯的方法 | ||
| 申请号 | CN201410171889.X | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN105016328A | 公开（授权）日 | 2015.11.04 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 郭鈺;陈小龙;郭丽伟;芦伟;贾玉萍 |
| 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/04(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种在碳化硅衬底上生长P型石墨烯的方法 至一种在碳化硅衬底上生长P型石墨烯的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供一种生长P型石墨烯的方法，包括：1）在含氮气氛中对SiC衬底进行退火，以在所述SiC衬底的表面吸附氮原子；2）采用SiC高温热分解法，在所述SiC衬底的所述表面生长石墨烯。 | ||
交易流程
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专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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