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石墨烯-铜纳米线复合薄膜及其制备方法

  • 申请号:CN201410172931.X
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
  • 公开(公开)号:CN105023629A
  • 公开(公开)日:2015.11.04
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 石墨烯-铜纳米线复合薄膜及其制备方法
申请号 CN201410172931.X 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN105023629A 公开(授权)日 2015.11.04
申请(专利权)人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明(设计)人 孙静;施良晶;王冉冉;刘阳桥;高濂
主分类号 H01B5/14(2006.01)I IPC主分类号 H01B5/14(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;C23C16/26(2006.01)I;C23C16/56(2006.01)I
专利有效期 石墨烯-铜纳米线复合薄膜及其制备方法 至石墨烯-铜纳米线复合薄膜及其制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明涉及一种石墨烯-铜纳米线复合薄膜及其制备方法,所述复合薄膜包括:衬底、铜纳米线层和石墨烯层,所述铜纳米线层位于衬底上或者部分嵌入衬底中,所述石墨烯层位于所述铜纳米线层上。所述方法包括:采用乙二醇和水的混合溶液作为转移介质将由聚合物辅助支撑的石墨烯转移至位于衬底上或者部分嵌入衬底中的铜纳米线薄膜上;沥干所述转移介质后在还原性气氛和/或惰性气氛中于100~200℃热处理30~60分钟以使石墨烯贴合在铜纳米线薄膜上;以及置于能溶解辅助支撑的聚合物的有机溶剂中以去除石墨烯表面的聚合物。

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