专利详情

专利名称	一种金纳米棒阵列及其制备方法和应用
申请号	CN201510354816.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104999071A	公开（授权）日	2015.10.28
申请（专利权）人	深圳先进技术研究院	发明（设计）人	喻学锋;唐思莹;李泳;李鹏辉;郭志男
主分类号	B22F1/00(2006.01)I	IPC主分类号	B22F1/00(2006.01)I;G01N21/65(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	一种金纳米棒阵列及其制备方法和应用至一种金纳米棒阵列及其制备方法和应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种金纳米棒阵列的制备方法，该方法包括：制备十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)修饰的金纳米棒水溶液，并调整金纳米棒、CTAB的最终浓度分别为0.2-0.6nmol/L、0.5-2mmol/L，并加入巯基化合物搅拌，得到混合溶液，并使巯基化合物的最终浓度为0.01-0.2mmol/L，将上述混合溶液浓缩后滴到亲水性平面基片上，自然干燥后得到金纳米棒阵列。所述金纳米棒阵列的制备方法操作简单、条件温和，所制备的金纳米棒阵列结构规整，且为肉眼可见的毫米级别，其表面具有均匀分布的SERS“热点”，有利于其用作SERS增强基底。本发明还提供了一种金纳米棒阵列及其应用。