一种两步法生长的高密度、高导电、高导热性的石墨烯材料及其制备方法
- 申请号：CN201410145144.6
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号：CN104973589A
- 公开(公开)日：2015.10.14
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种两步法生长的高密度、高导电、高导热性的石墨烯材料及其制备方法 | ||
| 申请号 | CN201410145144.6 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN104973589A | 公开（授权）日 | 2015.10.14 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 黄富强;黄海宁;毕辉 |
| 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/04(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种两步法生长的高密度、高导电、高导热性的石墨烯材料及其制备方法 至一种两步法生长的高密度、高导电、高导热性的石墨烯材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种两步法生长的高密度、高导电、高导热性的石墨烯材料及其制备方法，所述石墨烯材料通过两步化学气相沉淀法得到，石墨烯层数控制在1-2000层；所述石墨烯材料具有微观三维联通多孔结构。 | ||
交易流程
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专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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