专利详情

专利名称	一种CMOS低温低噪声运放电路
申请号	CN201520185762.3	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN204679894U	公开（授权）日	2015.09.30
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	袁红辉;陈永平;陈世军;宋伟清
主分类号	G05F1/565(2006.01)I	IPC主分类号	G05F1/565(2006.01)I
专利有效期	一种CMOS低温低噪声运放电路至一种CMOS低温低噪声运放电路	法律状态
说明书摘要	本实用新型公开了一种CMOS低温低噪声运放电路，其偏置电路部分采用多级电流镜套构的方式，参考电流基准采用两个二极管连接的MOS管有源电阻生成，使放大器的参考电流具有较好的温度特性；放大部分采用差分输入的折叠共源共栅结构，一级放大就能使放大器的开环增益大于80dB，克服了传统的二级放大使用的米勒补偿电容在低温77K下容易引起振荡的缺点；差分输入对管采用宽长比大于100的大管子，有利于CMOS放大器噪声性能地提高，该差分运算放大器在常温和低温77K之间都能正常工作，可作为低温CMOS电路设计的标准放大器模块使用，既可以应用在光伏红外探测器电路，也可应用在长波红外光导探测器电路。