专利详情

专利名称	桥式输入电阻负反馈的CMOS前放电路
申请号	CN201520372601.5	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN204681319U	公开（授权）日	2015.09.30
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	袁红辉;陈世军;陈永平
主分类号	H03F1/34(2006.01)I	IPC主分类号	H03F1/34(2006.01)I;H03F3/45(2006.01)I
专利有效期	桥式输入电阻负反馈的CMOS前放电路至桥式输入电阻负反馈的CMOS前放电路	法律状态
说明书摘要	本专利公开了一种桥式输入电阻负反馈CMOS前放电路，由输入部分和放大部分构成，输入部分与放大部分直接耦合相连。该电路在输入部分采用平衡桥式输入结构，输入部分的两条支路均采用1K欧姆偏置电阻，一条支路与探测器相连，形成一条通路，另一条支路与盲元相连，形成另一条通路，两条通路构成平衡桥式结构。为满足不同的放大倍数要求，适应不同响应率探测器信号的放大读出，放大部分采用可变增益的电阻负反馈结构，放大部分的负输入端与输出端之间采用可供选择的5M、2M或1M欧姆的反馈电阻，通过两个MOS开关控制形成不同大小的反馈电阻。为使电路能在液氮低温下工作，放大部分中的差分放大器采用共源共栅结构，正负电源供电。