用于高能离子注入的复合掩膜
- 申请号：CN201520371989.7
- 专利类型：实用新型
- 申请（专利权）人：中国科学院上海技术物理研究所
- 公开(公开)号：CN204680649U
- 公开(公开)日：2015.09.30
- 法律状态：
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专利详情
| 专利名称 | 用于高能离子注入的复合掩膜 | ||
| 申请号 | CN201520371989.7 | 专利类型 | 实用新型 |
| 公开（公告）号 | CN204680649U | 公开（授权）日 | 2015.09.30 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 施长治;林春 |
| 主分类号 | H01L21/426(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/426(2006.01)I;H01L21/36(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;H01L21/475(2006.01)I;H01L21/471(2006.01)I |
| 专利有效期 | 用于高能离子注入的复合掩膜 至用于高能离子注入的复合掩膜 | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | 本专利公开了一种用于高能离子注入的复合掩膜。本专利中的掩膜为一种具有三层结构的复合光致抗蚀剂掩膜，该掩膜将光致抗蚀剂掩膜图形制作在注入阻挡层介质膜与表层牺牲介质膜之间，用作高能离子注入掩膜。本专利的复合掩膜可避免光致抗蚀剂掩膜在高能离子轰击下的皲裂变性问题，且掩膜去除无残留，保证芯片表面洁净度，提高器件性能。 | ||
交易流程
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