专利详情

专利名称	一种无硼或稀土元素的致密碳化硅陶瓷的制备方法
申请号	CN201510323350.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104926309A	公开（授权）日	2015.09.23
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	刘桂玲;苏碧哲;黄政仁;刘学建;陈忠明;杨勇;姚秀敏
主分类号	C04B35/565(2006.01)I	IPC主分类号	C04B35/565(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I
专利有效期	一种无硼或稀土元素的致密碳化硅陶瓷的制备方法至一种无硼或稀土元素的致密碳化硅陶瓷的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种无硼或稀土元素的致密碳化硅陶瓷的制备方法，包括：1）将铝源、碳源、碳化硅粉体和无水乙醇均匀混合后烘干、研磨过筛后得到混合粉体，并采用混合粉体压制得到陶瓷素坯；2）将陶瓷素坯在真空、650℃～1050℃下加热裂解；3）将热裂解后的陶瓷坯体在氮气气氛、1550℃～1750℃下进行碳热还原反应；4）将碳热还原反应后的陶瓷素坯在惰性气氛、2050℃～2300℃下烧结得到致密碳化硅陶瓷。采用本发明方法制备的碳化硅陶瓷中含有Si、Al、C、O和N元素，均为中子吸收截面小的元素，不含中子吸收截面大的B或稀土元素。