联苯并杂环聚合物及其制备方法与应用
- 申请号:CN201510329529.2
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院化学研究所
- 公开(公开)号:CN104927032A
- 公开(公开)日:2015.09.23
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 联苯并杂环聚合物及其制备方法与应用 | ||
| 申请号 | CN201510329529.2 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开(公告)号 | CN104927032A | 公开(授权)日 | 2015.09.23 |
| 申请(专利权)人 | 中国科学院化学研究所 | 发明(设计)人 | 于贵;黄剑耀;褚夫同;刘晓彤;张卫锋 |
| 主分类号 | C08G61/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C08G61/12(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I |
| 专利有效期 | 联苯并杂环聚合物及其制备方法与应用 至联苯并杂环聚合物及其制备方法与应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 |
本发明公开了一种联苯并杂环聚合物及其制备方法与应用。该联苯并杂环聚合物的结构如式Ⅰ所示,其中,R为2-癸基十四烷基等含支链的烷基链,X、Y为硫原子、硒原子、氮原子或者C-H中的一种或两种。本发明还提供了式Ⅰ化合物的制备方法。本发明的合成路线简单、成本低;合成方法具有普适性,可以推广到各种取代基的联苯并杂环聚合物的合成,也适合制备单体较为难溶的、其他方法难以得到的较高分子量的该类聚合物半导体材料。以本发明基于一种联苯并杂环聚合物为有机半导体层制备的OFET的迁移率和开关比都比较高,式Ⅰ的迁移率最高超过10-3cm2V-1s-1,开关比大于106;在OFET器件中有一定的应用前景。 |
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