专利详情

专利名称	结终端延伸的终端版图结构及其终端结构
申请号	CN201520087935.8	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN204632762U	公开（授权）日	2015.09.09
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司	发明（设计）人	褚为利;朱阳军;陆江;卢烁今;田晓丽
主分类号	H01L29/06(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/06(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I
专利有效期	结终端延伸的终端版图结构及其终端结构至结终端延伸的终端版图结构及其终端结构	法律状态
说明书摘要	本实用新型公开了一种结终端延伸的终端版图结构，包括有源区，有源区内具有至少一个绝缘栅双极晶体管IGBT元包结构，元包结构为并联结构，有共同的发射极电极、集电极电极和栅极电极；包围有源区外围为至少一圈呈涡旋状的P型注入的窗口，每一圈注入窗口之间，从横截面看，间隔一定距离；通过注入窗口能够形成从横截面看相互独立的P型轻掺杂区，经过一定时间的高温退火后，P型轻掺杂区相互连接，能够形成从有源区到芯片的边沿区掺杂浓度逐渐降低，结深也逐渐降低的P型轻掺杂区。本实用新型还公开了三种结终端延伸的终端结构。本实用新型能够提高终端的耐压性和降低终端设计的复杂性。