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一种双金属掺杂的混合导体透氧膜及其制备方法和应用

  • 申请号:CN201510037906.5
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院青岛生物能源与过程研究所
  • 公开(公开)号:CN104860667A
  • 公开(公开)日:2015.08.26
  • 法律状态:实质审查的生效
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专利详情

专利名称 一种双金属掺杂的混合导体透氧膜及其制备方法和应用
申请号 CN201510037906.5 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN104860667A 公开(授权)日 2015.08.26
申请(专利权)人 中国科学院青岛生物能源与过程研究所 发明(设计)人 江河清;贺广虎;梁文渊;张艳;焦成丽
主分类号 C04B35/26(2006.01)I IPC主分类号 C04B35/26(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;B01D71/02(2006.01)I;B01D69/02(2006.01)I;B01D67/00(2006.01)I;B01D53/22(2006.01)I;C07C5/48(2006.01)I;C07C11/02(2006.01)I
专利有效期 一种双金属掺杂的混合导体透氧膜及其制备方法和应用 至一种双金属掺杂的混合导体透氧膜及其制备方法和应用 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明属于氧离子-电子混合导体透氧膜技术领域,具体涉及一种双金属掺杂的混合导体透氧膜及其制备方法和应用。透氧膜为在Ba0.6Sr0.4FeO3基钙钛矿氧化物中的B位掺杂两种金属离子,从而形成双金属掺杂的钙钛矿氧化物。本发明Mg和Zr双金属掺杂的Ba1-xSrxFe1-y-zMgyZrzO3-δ混合导体透氧膜同时具有稳定性好、渗透通量高的特点。具体地,Mg2+离子掺杂产生了较多的氧空穴,保证了掺杂后透氧膜较高的渗透通量,掺杂Zr4+可以提高钙钛矿的结构容限因子,防止由于氧空位浓度增加而发生钙钛矿结构转变。因此,经过掺杂Mg和Zr离子分别发挥提高氧空位浓度和钙钛矿结构稳定性的不同功能,使Ba1-xSrxFe1-y-zMgyZrzO3-δ透氧膜同时具有高渗透通量和稳定性。

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