高温亚铁磁半导体CaCu3Fe2Os2O12及其制备方法
- 申请号:CN201510163120.8
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院物理研究所
- 公开(公开)号:CN104844162A
- 公开(公开)日:2015.08.19
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 高温亚铁磁半导体CaCu3Fe2Os2O12及其制备方法 | ||
| 申请号 | CN201510163120.8 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开(公告)号 | CN104844162A | 公开(授权)日 | 2015.08.19 |
| 申请(专利权)人 | 中国科学院物理研究所 | 发明(设计)人 | 龙有文;邓宏芟;殷云宇 |
| 主分类号 | C04B35/01(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/01(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
| 专利有效期 | 高温亚铁磁半导体CaCu3Fe2Os2O12及其制备方法 至高温亚铁磁半导体CaCu3Fe2Os2O12及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种新型高温亚铁磁半导体,其化学式为CaCu3Fe2Os2O12,具有高温亚铁磁性,居里温度接近600K。还公开了一种制备所述高温亚铁磁半导体的方法,包括:将CaO、Fe2O3、CuO、Os、氧源均匀混合,得到混合物;研磨;将混合物填充在金或铂金胶囊中密封;将金或铂金胶囊置于高压装置中高温高压处理;退火或淬火处理;先降温后卸压;将反应产物从金或铂金胶囊中取出,充分研磨;清洗。本发明提出的CaCu3Fe2Os2O12具有高的居里温度以及宽的半导体能隙,在未来的自旋电子器件中有潜在应用价值。 | ||
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