SOI器件
- 申请号：CN201520311982.6
- 专利类型：实用新型
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN204558469U
- 公开(公开)日：2015.08.12
- 法律状态：
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专利详情
| 专利名称 | SOI器件 | ||
| 申请号 | CN201520311982.6 | 专利类型 | 实用新型 |
| 公开（公告）号 | CN204558469U | 公开（授权）日 | 2015.08.12 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;钟健;张严波 |
| 主分类号 | H01L29/772(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/772(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
| 专利有效期 | SOI器件 至SOI器件 | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | 提供了一种SOI器件。一示例器件可以包括：SOI衬底，包括基底衬底、埋入绝缘层和SOI层；在SOI衬底上形成的半导体器件，包括位于SOI层中的源区和漏区以及位于源区和漏区之间的沟道区；在SOI层、埋入绝缘层和基底衬底中形成的位于沟道区下方的后退阱，其中，后退阱在SOI层和埋入绝缘层中形成低浓度阱掺杂，而在基底衬底中形成高浓度阱掺杂；以及在基底衬底中形成的背栅，其中，背栅与后退阱电耦合。利用这种后退阱，可以在沟道区形成较薄的耗尽层，尽管SOI层可能较厚。另一方面，通过与后退阱电耦合的背栅，可以控制器件的阈值电压。 | ||
交易流程
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01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
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05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障
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