专利详情

专利名称	一种应力传感器及制作方法
申请号	CN201510073321.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104819789A	公开（授权）日	2015.08.05
申请（专利权）人	华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	何洪文;孙鹏;曹立强;上官东恺;豆传国;杨恒;吴燕红
主分类号	G01L1/18(2006.01)I	IPC主分类号	G01L1/18(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I
专利有效期	一种应力传感器及制作方法至一种应力传感器及制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种应力传感器，所述应力传感器包括：衬底，所述衬底具有第一凹槽；第一压阻层，覆盖所述第一凹槽内壁及部分衬底上表面，所述第一压阻层通过第一绝缘层与所述衬底隔离；第一传递层，填充满所述第一凹槽，且具有两个第三凹槽，所述两个第三凹槽沿所述第一凹槽槽长方向平行排列，所述第一传递层通过第二绝缘层与所述第一压阻层隔离；第一隔离层，填充满所述第三凹槽，所述第一隔离层通过第三绝缘层与所述第一传递层隔离；第一电极对，第二电极对，位于衬底上表面的所述第一压阻层上，所述第一电极对位于第一凹槽槽长延长线上，所述第二电极对位于所述第一凹槽槽宽延长线上，能够实现对非芯片上表面内应力分量的测量。