专利详情

专利名称	高透光率柔性聚酰亚胺基底ITO导电薄膜及其制备方法与应用
申请号	CN201510102429.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104810114A	公开（授权）日	2015.07.29
申请（专利权）人	中国科学院化学研究所	发明（设计）人	范琳;温钰;杨士勇
主分类号	H01B13/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01B13/00(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I
专利有效期	高透光率柔性聚酰亚胺基底ITO导电薄膜及其制备方法与应用至高透光率柔性聚酰亚胺基底ITO导电薄膜及其制备方法与应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种高透光率柔性聚酰亚胺基底ITO导电薄膜及其制备方法与应用。该导电薄膜利用射频磁控溅射技术，以兼具高透明和高耐热特性的柔性PI薄膜为基底，采用高温两步法沉积ITO导电层制备得到，该导电薄膜兼具低电阻率和高透明性的特点，电阻率低于6.4×10^-4Ω·cm，可见光区平均透过率高于80％，且黄度指数小于9，在柔性太阳能电池、柔性显示器、电子书、电子标签、光电传感器等光电器件的制造中具有重要的应用价值。