专利详情

专利名称	一种层状氧化物材料、制备方法、极片、二次电池和用途
申请号	CN201410549896.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104795552A	公开（授权）日	2015.07.22
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	胡勇胜;穆林沁;陈立泉
主分类号	H01M4/485(2010.01)I	IPC主分类号	H01M4/485(2010.01)I;H01M4/505(2010.01)I;H01M4/525(2010.01)I;H01M4/62(2006.01)I;H01M4/131(2010.01)I;H01M10/054(2010.01)I
专利有效期	一种层状氧化物材料、制备方法、极片、二次电池和用途至一种层状氧化物材料、制备方法、极片、二次电池和用途	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种层状氧化物材料、制备方法、极片、二次电池和用途，所述材料的化学通式为：Na_xCu_iFe_jMn_kM_yO_2+β；M为对过渡金属位进行掺杂取代的元素；所述x，y，i，j,k,β分别为对应元素所占的摩尔百分比；其中x，y，i，j,k,β之间的关系满足y+i+j+k＝1，且x+my+2i+3j+4k＝2(2+β)；其中0.8≤x≤1；0<i≤0.3；0<j≤0.5；0<k≤0.5；-0.02≤β≤0.02；m为所述M的化合价态；所述层状氧化物材料的空间群为R3m。