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超薄Ti3C2纳米片自组装的超级电容器电极的制备方法

  • 申请号:CN201510141166.X
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院金属研究所
  • 公开(公开)号:CN104795252A
  • 公开(公开)日:2015.07.22
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 超薄Ti3C2纳米片自组装的超级电容器电极的制备方法
申请号 CN201510141166.X 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN104795252A 公开(授权)日 2015.07.22
申请(专利权)人 中国科学院金属研究所 发明(设计)人 王晓辉;胡敏敏;李昭进;张辉;胡涛
主分类号 H01G11/86(2013.01)I IPC主分类号 H01G11/86(2013.01)I
专利有效期 超薄Ti3C2纳米片自组装的超级电容器电极的制备方法 至超薄Ti3C2纳米片自组装的超级电容器电极的制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明涉及超级电容器领域,具体为一种超薄Ti3C2纳米片自组装的超级电容器电极的制备方法。采用无压烧结的多孔Ti3AlC2块体作为前驱体,通过HF选择性刻蚀Al层得到Ti3C2粉末,将Ti3C2粉末超声处理得到超薄二维Ti3C2片层悬浮液,将此悬浮液均匀涂覆到多孔导电基底上,低温烘干制成复合型超级电容器电极。以离子通透膜作为隔膜,将制备的电极组装成对称型超级电容器,在酸性电解液中进行电化学性能测试。在无任何添加剂的情况下,这种通过简易的滴加涂覆-低温烘干自组装方式制得的Ti3C2纳米片-多孔导电基体的复合电极,极大地提高了以Ti3C2纳米片为基的电极的导电性能。而且,所制得的超级电容器具有高的比容量、优良的倍率性能和循环使用寿命,具有非常好的应用前景。

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