专利详情

专利名称	GaAs基二维电子气等离子体震荡太赫兹探测器的方法
申请号	CN201510175330.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104795461A	公开（授权）日	2015.07.22
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	徐建星;査国伟;张立春;魏思航;倪海桥;贺振宏;牛智川
主分类号	H01L31/119(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/119(2006.01)I
专利有效期	GaAs基二维电子气等离子体震荡太赫兹探测器的方法至GaAs基二维电子气等离子体震荡太赫兹探测器的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种GaAs基二维电子气等离子体震荡太赫兹探测器的方法，包括：制作光刻掩模板，共四块，该光刻掩模板包括蝴蝶结天线；在GaAs衬底上制作外延片；在外延片的表面蒸镀SiO₂薄膜；在SiO₂薄膜上制作图形；在第二GaAs层上制作图形；腐蚀；在暴露的第二GaAs层和SiO₂薄膜上制作图形；蒸镀Au/Ge/Ni金属，剥离，形成源和漏电极；退火；通过光刻将第四光刻掩模板的图形转移到外延片暴露的第三AlGaAs层上；在外延片的表面蒸镀Ti/Au金属，剥离，在第三AlGaAs层上形成栅电极；在电极上接出引线，完成制备。本发明通过改变偏压大小，即可影响频率共振的范围，从而调节不同频率的响应增益，所以具有可调响应频率的特性。