专利详情

专利名称	化学浴沉积设备和制备ZnS薄膜的方法
申请号	CN201510166863.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104762611A	公开（授权）日	2015.07.08
申请（专利权）人	深圳先进技术研究院;香港中文大学	发明（设计）人	张倩;杨春雷;顾光一;熊治雨;王婷婷;程亚;肖旭东
主分类号	C23C18/00(2006.01)I	IPC主分类号	C23C18/00(2006.01)I
专利有效期	化学浴沉积设备和制备ZnS薄膜的方法至化学浴沉积设备和制备ZnS薄膜的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种化学浴沉积设备，包括反应器皿和化学浴锅，所述反应器皿置于所述化学浴锅中，所述反应器皿用于放置基片和反应液，在反应过程中，所述基片的反应面持续反复地、分部分地逐渐露出所述反应液的液面，并受到所述反应液的冲刷。该化学浴沉积设备，在化学浴沉积过程中基片的反应面持续反复地、分部分地逐渐露出所述反应液的液面，且受到反应液的冲刷，有利于快速制备薄膜材料，可应用于薄膜太阳能电池缓冲层如In₂S₃，In(OH)₃，ZnS，CdS，Zn_(1-x)Mg_xO，ZnSe，ZnO等的制备，制得的薄膜厚度可控、缺陷少、均匀致密，从而提高薄膜太阳能电池的效率，并降低薄膜太阳能电池的制造成本。此外，本发明还提供了一种制备ZnS薄膜的方法。