专利详情

专利名称	一种相变存储单元及其制作方法
申请号	CN201510177956.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104779349A	公开（授权）日	2015.07.15
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	刘波;宋志棠;封松林
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I
专利有效期	一种相变存储单元及其制作方法至一种相变存储单元及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种相变存储单元及其制作方法，所述相变存储单元包括：镶嵌于衬底中的至少一个下电极；连接于所述下电极上方的刀片状加热电极；连接于所述刀片状加热电极上方的刀片状相变材料结构；连接于所述相变材料结构上方的上电极。本发明的相变存储单元中采用刀片状加热电极及刀片状相变材料结构，所述刀片状加热电极及刀片状相变材料结构相互交叉接触。由于刀片状加热电极和刀片状相变材料结构的厚度尺寸非常小且容易控制，二者交叉接触可实现接触面最小化，达到进一步缩小相变存储单元的相变区域的目的，从而大大降低器件功耗。