专利详情

专利名称	一种二(苯并噻吩)乙烯聚合物及其制备方法与应用
申请号	CN201510163315.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104774319A	公开（授权）日	2015.07.15
申请（专利权）人	中国科学院化学研究所	发明（设计）人	于贵;黄剑耀;刘晓彤;毛祖攀;张卫锋;高冬
主分类号	C08G61/12(2006.01)I	IPC主分类号	C08G61/12(2006.01)I;C07D333/54(2006.01)I;C07F7/22(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I
专利有效期	一种二(苯并噻吩)乙烯聚合物及其制备方法与应用至一种二(苯并噻吩)乙烯聚合物及其制备方法与应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种二(苯并噻吩)乙烯聚合物及其制备方法与应用。所述聚合物的结构如式Ⅰ或式Ⅰ’所示，其中，R为C₁～C₆₀的直链或支链烷基。本发明还公开了所述聚合物的制备方法。本发明的合成路线简单、有效；原料为商业化的廉价产品，合成成本低；合成方法具有普适性，可以推广应用到其他各种取代基取代的基于二(苯并噻吩)乙烯化合物的聚合物的合成。以本发明基于二(苯并噻吩)乙烯的聚合物为有机半导体层制备的PFET的迁移率和开关比都比较高，迁移率最高为5.79cm²V^-1s^-1，开关比大于10⁶；在PFET器件中有良好的应用前景。