专利详情

专利名称	一种超微平面电极阵列传感器及其制备方法
申请号	CN201410003191.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104760922A	公开（授权）日	2015.07.08
申请（专利权）人	中国科学院电子学研究所	发明（设计）人	蔡新霞;刘春秀;蒋庭君;宋轶琳
主分类号	B81B7/02(2006.01)I	IPC主分类号	B81B7/02(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I;C12M1/42(2006.01)I
专利有效期	一种超微平面电极阵列传感器及其制备方法至一种超微平面电极阵列传感器及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种用于定量测定神经细胞量子释放的双模(电生理信号和电化学信号两种模式信号)超微平面阵列传感器的制备方法。结合双层布线设计、高精度步进光刻工艺和分区隔离设计制备超微平面电极(0.5～5μm)，在电极阵列表面进行定向纳米修饰、生物兼容性修饰和特异识别酶修饰相结合的方法制备双模平面超微电极阵列传感器。采用微机电系统技术、纳米修饰技术和生物修饰技术相结合的方法制备双模平面超微电极阵列。克服了常规平面微电极的电极位点尺寸偏大(10～50μm)和棒状碳纤电极的单个位点检测的局限性。该方法制备超微平面电极阵列具有电极位点小、记录点多、对神经细胞无损伤、可同时原位实时检测多个神经细胞的神经递质量子释放和电生理动作电位信号的双模信息。