专利详情

专利名称	安全仪表变送器外部SRAM高可靠性存储与诊断方法
申请号	CN201310726591.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104731677A	公开（授权）日	2015.06.24
申请（专利权）人	中国科学院沈阳自动化研究所	发明（设计）人	徐皑冬;闫炳均;宋岩;王志平;刘元锋;刘梁梁
主分类号	G06F11/16(2006.01)I	IPC主分类号	G06F11/16(2006.01)I;G06F11/22(2006.01)I;G06F3/06(2006.01)I
专利有效期	安全仪表变送器外部SRAM高可靠性存储与诊断方法至安全仪表变送器外部SRAM高可靠性存储与诊断方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及安全仪表变送器外部SRAM高可靠性存储与诊断方法。本发明用于在MCU运行的过程中对外部SRAM进行数据存储和数据诊断，MCU首先将基础数据写入CPLD，CPLD将所述基础数据处理成另一差异性数据，在MCU的写信号控制下将所述基础数据写入一片SRAM中，将所述差异性数据写入另一片SRAM中；CPLD在接收到MCU的读信号时，将两个数据从两片SRAM中读入到CPLD中，进行数据诊断，如果数据诊断无错误，则将所述基础数据送入MCU，否则产生报警信号。本发明具备了存储和诊断的两种功能，不仅能够实时的对数据进行存储和诊断，还能诊断出SRAM软故障引起的故障失效，而且主控制器运行开销比较小，主控制器利用率比较高。