专利详情

专利名称	一种多晶硅应力传感器及其制作方法
申请号	CN201310705594.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104724662A	公开（授权）日	2015.06.24
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	豆传国;杨恒;吴燕红;李昕欣
主分类号	B81C1/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81C1/00(2006.01)I;G01L1/18(2006.01)I
专利有效期	一种多晶硅应力传感器及其制作方法至一种多晶硅应力传感器及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种多晶硅应力传感器及其制作方法，所述多晶硅应力传感器至少包括：硅衬底；硅孔结构，形成于所述硅衬底中；第一阻挡层，覆盖于所述硅衬底正表面及所述硅孔结构的上部侧壁；多晶硅层，形成于所述第一阻挡层表面、及所述硅孔结构的下部侧壁及底部；第二阻挡层，覆盖于所述多晶硅层表面；电极结构，包括用于引出所述多晶硅层的第一电极以及用于引出所述硅衬底的第二电极。本发明将多晶硅力敏电阻制作在盲孔或通孔的侧壁上，并通过衬底硅的连接作用，实现力敏电阻两端引线及焊盘在硅片正面的制作，同时本发明利用多晶硅电阻在孔内部的轴向力敏度远大于径向灵敏度，可用于对盲孔电镀填铜、通孔热处理过程引入的内部轴向应力的测量。