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太赫兹焦平面阵列及检测与成像装置

  • 申请号:CN201520131059.4
  • 专利类型:实用新型
  • 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
  • 公开(公开)号:CN204405189U
  • 公开(公开)日:2015.06.17
  • 法律状态:
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 太赫兹焦平面阵列及检测与成像装置
申请号 CN201520131059.4 专利类型 实用新型
公开(公告)号 CN204405189U 公开(授权)日 2015.06.17
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 李志刚;欧毅;傅剑宇;尚海平;欧文;陈大鹏
主分类号 G01J5/00(2006.01)I IPC主分类号 G01J5/00(2006.01)I;G01N21/3581(2014.01)I
专利有效期 太赫兹焦平面阵列及检测与成像装置 至太赫兹焦平面阵列及检测与成像装置 法律状态
说明书摘要 本实用新型公开了一种太赫兹焦平面阵列,包括框架、悬臂梁和吸收结构;其中,吸收结构,包括依次层叠的第一金属层、第一介质层和金属方块阵列;悬臂梁,两个悬臂梁分别位于金属方块阵列的相对侧,每个悬臂梁为由纵部和横部首尾依次连接形成的多材料形变梁,其一端与框架固定连接,另一端与吸收结构固定连接。该太赫兹焦平面阵列形成了超材料的谐振腔,对能量低的太赫兹辐射有较强的吸收能力。

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