一种大面积高电离率氧化物阴极等离子体源
- 申请号：CN201520090240.5
- 专利类型：实用新型
- 申请（专利权）人：中国科学技术大学
- 公开(公开)号：CN204391037U
- 公开(公开)日：2015.06.10
- 法律状态：
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专利详情
| 专利名称 | 一种大面积高电离率氧化物阴极等离子体源 | ||
| 申请号 | CN201520090240.5 | 专利类型 | 实用新型 |
| 公开（公告）号 | CN204391037U | 公开（授权）日 | 2015.06.10 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学技术大学 | 发明（设计）人 | 谢锦林;胡广海;金晓丽;袁林;张乔枫;杨尚川 |
| 主分类号 | H01J37/08(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J37/08(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种大面积高电离率氧化物阴极等离子体源 至一种大面积高电离率氧化物阴极等离子体源 | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种大面积高电离率氧化物阴极等离子体源，它包括由上梁、下梁和固定板组成的支撑框架，用来加热的灯丝阵列，设置在灯丝阵列后面及四周的金属反射板，阴极板；所述固定板为外多边形内圆形的环状结构，所述阴极板外边缘上设有触片；所述阴极板与固定板之间的电连接由电连接片完成，电连接片是易变形的金属薄片。本实用新型具有结构性能稳定，能产生大范围的均匀的等离子体环境的优点。 | ||
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