专利详情

专利名称	一种大面积制备微纳米凸球透镜阵列的方法
申请号	CN201410854544.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104698514A	公开（授权）日	2015.06.10
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	唐成春;李俊杰;姜倩晴;顾长志;全保刚;金爱子
主分类号	G02B3/00(2006.01)I	IPC主分类号	G02B3/00(2006.01)I;C23F4/00(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	一种大面积制备微纳米凸球透镜阵列的方法至一种大面积制备微纳米凸球透镜阵列的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种用电子束光刻(EBL)结合反应离子刻蚀(RIE)大面积制备微纳米凸球透镜阵列的方法，包括如下步骤：1)清洁金刚石表面并蒸镀粘附层金属；2)在蒸镀了粘附层金属的金刚石样品表面旋涂HSQ层，并进行前烘；3)在EBL系统中对金刚石样品表面HSQ层进行曝光；4)对曝光后的HSQ层进行显影定影；5)用RIE刻蚀去除周期性柱形硅氧化物掩膜周围的粘附层金属；6)用RIE刻蚀周期性凸球阵列结构。本发明的方法简单灵活，能够实现金刚石表面大面积的凸球结构制备，在金刚石NV色心单光子器件等方面有潜在应用。