专利详情

专利名称	一种三氧化二钇掺杂的宽温区热敏电阻材料及其制备方法
申请号	CN201510137448.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104692802A	公开（授权）日	2015.06.10
申请（专利权）人	中国科学院新疆理化技术研究所	发明（设计）人	张博;赵长江;赵青;常爱民
主分类号	C04B35/495(2006.01)I	IPC主分类号	C04B35/495(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I
专利有效期	一种三氧化二钇掺杂的宽温区热敏电阻材料及其制备方法至一种三氧化二钇掺杂的宽温区热敏电阻材料及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种三氧化二钇掺杂的宽温区热敏电阻材料及其制备方法，该材料以分析纯碳酸钙、二氧化铈、五氧化二铌、三氧化钨、三氧化二钇为原料，经混合研磨、煅烧、冷等静压成型、高温烧结、涂烧电极，即可得到Y₂O₃掺杂的具有白钨矿结构的Y_xCa_1-xCeNbWO₈陶瓷材料，材料常数为B₃₀₀_℃_/600_℃=5600K-9600K，温度100℃电阻率为1.34×10⁶Ωcm-1.27×10⁸Ωcm,温度600℃高温老化300小时后阻值变化率在-3%以内。采用本发明制备的热敏电阻材料性能稳定，一致性好，该热敏电阻材料在温度100℃-600℃范围具有明显的负温度系数特性，材料体系电性能稳定，一致性好，老化性能稳定，适合制造宽温区热敏电阻器。