专利详情

专利名称	可以减少AlN冷阴极表面氧化的电子接收结构
申请号	CN201510093713.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104681374A	公开（授权）日	2015.06.03
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	陈平;赵德刚;朱建军;刘宗顺;江德生;杨辉
主分类号	H01J1/304(2006.01)I	IPC主分类号	H01J1/304(2006.01)I;H01J1/38(2006.01)I
专利有效期	可以减少AlN冷阴极表面氧化的电子接收结构至可以减少AlN冷阴极表面氧化的电子接收结构	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种可以减少AlN冷阴极表面氧化的电子接收结构，包括：一n型SiC衬底；一n型金属电极，其制作在n型SiC衬底下表面；一AlN冷阴极，其外延生长在n型SiC衬底上；一金属阳极；一二氧化硅绝缘层，其制作在金属阳极上，该二氧化硅绝缘层的中间为电子发射-接收窗口；其中该制作有二氧化硅绝缘层的金属阳极扣置在AlN冷阴极的表面；一高压源，其正极连接金属阳极；一电流计，其正极连接高压源，负极与n型金属电极连接。本发明可以减少AlN冷阴极材料的表面氧化，提高其电子发射性能。