专利详情

专利名称	低暗电流的共振隧穿二极管高灵敏度探测器
申请号	CN201510098629.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104659145A	公开（授权）日	2015.05.27
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	裴康明;倪海桥;詹锋;董宇;牛智川
主分类号	H01L31/101(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/101(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I
专利有效期	低暗电流的共振隧穿二极管高灵敏度探测器至低暗电流的共振隧穿二极管高灵敏度探测器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种低暗电流的共振隧穿二极管高灵敏度探测器，包括：一衬底；一发射极接触层，其制作在衬底上；一发射区，其制作在发射极接触层上，发射极接触层另一侧形成一台面；一隔离层，其制作在发射区上；一双势垒结构，其制作在隔离层上；一吸收层，其制作在双势垒层结构上；一集电区，其制作在吸收层上；一上电极，其制作在集电区上；一下电极，其制作在发射极接触层另一侧的台面上。本发明可以进一步降低暗电流。通过使用本发明提出的npin型掺杂，基于共振隧穿二极管的近红外探测器将会得到低的暗电流。