专利详情

专利名称	小型化、集成化的硅基场发射-接收器件
申请号	CN201510094671.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104658831A	公开（授权）日	2015.05.27
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	陈平;赵德刚;朱建军;刘宗顺;江德生;杨辉
主分类号	H01J1/304(2006.01)I	IPC主分类号	H01J1/304(2006.01)I
专利有效期	小型化、集成化的硅基场发射-接收器件至小型化、集成化的硅基场发射-接收器件	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种小型化、集成化的硅基场发射-接收器件，包括：一n型硅衬底；一纳米尖端结构，其制作于n型硅衬底上表面的中间部位，其材料与n型硅衬底的材料相同；一二氧化硅绝缘层，其制作于n型硅衬底上，其中间有一电子发射-接收窗口，该电子发射-接收窗口围绕在纳米尖端结构的周围；一n型掺杂硅片，其制作在二氧化硅绝缘层上，且覆盖二氧化硅绝缘层上的电子发射-接收窗口；一高压源，其正极与n型掺杂硅片连接；一电流表，其正极与高压源连接，负极与n型硅衬底连接。本发明有利于提高大规模研制真空微纳器件过程中的性能和成品率。