专利详情

专利名称	基于真空紫外光的纳米阵列修饰增强光电子发射的电离源
申请号	CN201310598046.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104658849A	公开（授权）日	2015.05.27
申请（专利权）人	中国科学院大连化学物理研究所	发明（设计）人	李海洋;陈平;侯可勇;花磊;谢园园;赵无垛;蒋吉春;刘巍
主分类号	H01J49/08(2006.01)I	IPC主分类号	H01J49/08(2006.01)I;H01J49/16(2006.01)I
专利有效期	基于真空紫外光的纳米阵列修饰增强光电子发射的电离源至基于真空紫外光的纳米阵列修饰增强光电子发射的电离源	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及质谱分析仪器，具体的说是基于真空紫外光的纳米阵列修饰增强光电子发射的电离源，包括真空紫外光源和电离室腔体；在电离室内平行，间隔设置有若干传输电极和真空差分孔电极，其中孔电极表面沉积有纳米金阵列，金阵列的高度约为几十到数百纳米；沿电极的轴线方向都开有通孔，真空紫外光源发射的紫外光沿此轴线方向入射到孔电极上；传输电极和孔电极上分别施加有直流电压。本发明所涉及的电离源在利用纳米金阵列的表面等离子体共振效应，可提高真空紫外灯产生的光电子的效率，在不改变紫外灯光强的条件下增强灵敏度；另外，金表面本身的耐氧化能力可以减弱氧化性气体对金属电极表面的污染，提高电离源稳定性。