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一种石墨烯/聚合物复合导电薄膜材料及其制备方法

  • 申请号:CN201310601582.4
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院金属研究所
  • 公开(公开)号:CN104650498A
  • 公开(公开)日:2015.05.27
  • 法律状态:实质审查的生效
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专利详情

专利名称 一种石墨烯/聚合物复合导电薄膜材料及其制备方法
申请号 CN201310601582.4 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN104650498A 公开(授权)日 2015.05.27
申请(专利权)人 中国科学院金属研究所 发明(设计)人 英哲;谢桂媛;曾尤;任文才;刘畅;成会明
主分类号 C08L27/06(2006.01)I IPC主分类号 C08L27/06(2006.01)I;C08L25/06(2006.01)I;C08L67/00(2006.01)I;C08L23/06(2006.01)I;C08L23/12(2006.01)I;C08K9/04(2006.01)I;C08K3/04(2006.01)I;C08K5/12(2006.01)I;C08J7/00(2006.01)I
专利有效期 一种石墨烯/聚合物复合导电薄膜材料及其制备方法 至一种石墨烯/聚合物复合导电薄膜材料及其制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种石墨烯/聚合物复合导电薄膜材料,属于抗静电高分子复合材料技术领域。所述复合导电薄膜材料包括石墨烯和聚合物基体,所述石墨烯在复合导电薄膜材料中构成导电网络。首先在含有分散剂的水溶液中将石墨烯分散均匀,得到石墨烯悬浮液。然后将聚合物颗粒加入到上述悬浮液中并使之混合均匀后,再经快速过滤和干燥得到上述复合材料的粉末状前驱体。最后经平板硫化机热压得到石墨烯/聚合物复合导电薄膜材料。由于具有大的厚径比的二维石墨烯能在复合导电膜中构成电子传输网络,因此可显著地提高复合材料的导电性能(体积电阻降到103Ω数量级),使该聚氯乙烯复合薄膜适用于抗静电或电磁屏蔽的场合。

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