专利详情

专利名称	红光LED倒装芯片的制作方法
申请号	CN201510062353.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104638097A	公开（授权）日	2015.05.20
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	李璟;杨华;王国宏;王军喜;李晋闽
主分类号	H01L33/62(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/62(2010.01)I;H01L33/48(2010.01)I
专利有效期	红光LED倒装芯片的制作方法至红光LED倒装芯片的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种红光LED倒装芯片的制作方法，包括如下步骤：步骤1：采用激光钻孔工艺在基板上得到两个通孔；步骤2：在两个通孔的侧壁制备金属，形成导电通孔；步骤3：在两个通孔上下面的周围制作金属电极，使上下面的金属电极连通；步骤4：将一红光LED垂直结构芯片固晶在基板上的一通孔上，使红光LED垂直结构芯片与通孔上的金属电极连接；步骤5：在红光LED垂直结构芯片的周围及上面制备绝缘层，并暴露出红光LED垂直结构芯片上的P电极；步骤6：在红光LED垂直结构芯片上的P电极及基板上的另一通孔上的金属电极之间制备导电电极，形成基片；步骤7：将基片进行封胶，完成制备。