一种复合黑色二氧化钛薄膜及其制备方法
- 申请号：CN201510093753.6
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号：CN104626680A
- 公开(公开)日：2015.05.20
- 法律状态：授权
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专利详情
| 专利名称 | 一种复合黑色二氧化钛薄膜及其制备方法 | ||
| 申请号 | CN201510093753.6 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN104626680A | 公开（授权）日 | 2015.05.20 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 孙静;施良晶;王冉冉;刘阳桥;高濂;王焱 |
| 主分类号 | B32B15/04(2006.01)I | IPC主分类号 | B32B15/04(2006.01)I;B32B9/04(2006.01)I;C23C28/00(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种复合黑色二氧化钛薄膜及其制备方法 至一种复合黑色二氧化钛薄膜及其制备方法 | 法律状态 | 授权 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种复合黑色二氧化钛薄膜及其制备方法，所述复合黑色二氧化钛薄膜包括铜纳米线层、以及覆盖在铜纳米线层上的黑色二氧化钛层。本发明提出的铜纳米线辅助制备复合黑色二氧化钛薄膜的方法，适用于任何金属纳米线与二氧化钛薄膜的研制，具有很好的普适性。 | ||
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