专利详情

专利名称	一种改善表面钝化的平面型铟镓砷光敏芯片
申请号	CN201420770646.3	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN204332968U	公开（授权）日	2015.05.13
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	曹高奇;唐恒敬;王云姬;李雪;邵秀梅;程吉凤;龚海梅
主分类号	H01L31/0216(2014.01)I	IPC主分类号	H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/101(2006.01)I
专利有效期	一种改善表面钝化的平面型铟镓砷光敏芯片至一种改善表面钝化的平面型铟镓砷光敏芯片	法律状态	授权
说明书摘要	本专利公开了一种改善表面钝化的平面型铟镓砷光敏芯片，平面型铟镓砷光敏芯片的结构为：在半绝缘InP衬底上，依次生长N型InP层，铟镓砷本征吸收层，N型InP帽层，氮化硅(SiN_x)钝化层，P电极及加厚电极(8)。制备工艺在原有工艺基础之上改进得到，包括扩散掩膜的去除、硫化和感应耦合等离子体化学气相淀积(ICPCVD)技术生长氮化硅钝化膜。本专利的优点在于：芯片的钝化层结构比较均匀；有效减少器件的表面态密度，且表面形成的硫化膜能够避免表面再次被氧化；工艺对材料表面损伤小，薄膜致密、与衬底之间应力匹配，元素成键状态好，钝化效果优。