专利详情

专利名称	一种高电阻温度系数氧化钒薄膜的制备方法
申请号	CN201510030113.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104611670A	公开（授权）日	2015.05.13
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	张立春;王国伟;张宇;徐应强;倪海桥;牛智川
主分类号	C23C14/08(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/08(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I
专利有效期	一种高电阻温度系数氧化钒薄膜的制备方法至一种高电阻温度系数氧化钒薄膜的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种高电阻温度系数氧化钒薄膜的制备方法，包括：单晶硅衬底表面清洗，装入磁控溅射装置生长室；在单晶硅表面溅射氮化硅薄膜；在氮化硅薄膜上沉积一层氧化钒薄膜；在氧化钒薄膜上沉积一层硫化锌薄膜；在硫化锌薄膜上沉积一层氧化钒薄膜；对所沉积的薄膜样品进行退火处理。本发明无需高温退火处理，既保证了氧化钒薄膜制备与MEMS工艺和集成电路工艺的兼容性，又可以得到电阻率适中的氧化钒薄膜材料，可满足高性能氧化钒基非制冷型红外探测器的要求。